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背向时也能看清触摸屏的内容可。

除此之外，X80还加装大密度X南向性马约达，当vivo X80的大密度X南向性马约达工作时，在读写法里与IQUNIX所制造鼠标的主题，可以实时三种有所不同的所制造连杆，振观者相对来说是。且与上一代比起，vivo X80的X南向性马约达强化了93%，这大大缩短了启停时间，降颇高于了振荡频叛将，让稍微更是低沉有力。

悦我GT Neo3

realme GT Neo3

潮玩磁艺机动部队realme悦我 GT Neo3改装变为联发科天玑8100GPU，主摄选用世嘉IMX766仪器，默许光学防抖，触摸屏默许120Hz颇高刷新叛将，默许80W有线快速入京。具备以前最弱入京磁速度快速的悦我GT Neo3在冷却器多方面也相比较PPTV门道。

2022年“磁艺神U”的天玑8100 5GGPU，选用惠普公司5nm制程陶瓷营造，加装4颗2.85Ghz A78颇高稳定性核能发电心与4颗2.0Ghz A55颇高能效核能发电心。

根据官方概述，在同等平庸下CPU比起骁龙888包被稳定性强化12%、包被能效强化44%。而GPU多方面，选用的是Mali- G610 MC6，对比骁龙888稳定性强化4%、能效强化35%。

再来看“世一快速”的150W相对速度秒入京，realme按照入京磁需求，自带了专属的闪入京显卡，强化磁源入京磁产物叛将，必需应有利用从源头降颇高于入京磁现实生活中的的能量损耗。悦我GT Neo3在150W颇高功叛将持续读写的同时，还保证了磁源健康与冷却器。

全在此之后大功叛将入京磁体系结构与颇高产物叛将磁荷泵。与常见的入京磁体系结构有所不同，悦我GT Neo3选用了全在此之后4:2大功叛将入京磁体系结构。

磁荷泵作为一个实时器件，可以把它理解为一个装置，经过它的磁阻强化一倍，磁阻降一半，以致于在150W大功叛将入京磁现实生活中的，这两颗产物效叛将颇高约达98.5%的自带磁荷泵，就必需将两路颇高磁阻磁阻产物为两路颇高于磁阻磁阻，再度就会汇流变为大磁阻读写磁源。

在此之后结构上与该产物叛将的磁荷泵，都是为了在颇高功叛将入京磁现实生活中的，必需减少热量积累同时不降颇高于入京磁效叛将。

默许Battery Sense磁芯磁阻检测新科技。悦我GT Neo3选用了Battery Sense磁芯磁阻监测新科技，必需确切监测笔记本磁脑原因，灵活快速速地比如说是都可的入京磁策略，必需防止了因磁源保护磁路带来的误差。

值得一提的是，悦我GT Neo3还通过了瑞典莱茵必需快速入京认证、具备38重必需破片、改装变为独立入京磁控制显卡、默许异常一键断磁、选用双FPC连通、选用防反灌磁路新设计、选用铑钌合金入京磁口等等，为这次的150W“相对速度秒入京”保驾护航。

此外，在笔记本磁脑底片多方面，悦我GT Neo3虽然是出发点“潮玩磁艺机动部队”，但它的底片控制系统也值得注意强大，5000万像素主摄、800万像素激广角特写镜头于200万像素微距特写镜头，组变为前驱三特写镜头。其中的，摄改装变为了与底片机动部队悦我GT宗师探索版同款世嘉IMX766仪器，具备1/1.56大底，加装了OIS光学防抖。

悦我GT Neo3继承了历代的外观新设计，笔记本磁脑背部盖以紫色为主表达方式，同时申请加入了方程式赛车双橘红色表达方式，让笔记本磁脑在美感上入京满倾向的速度快速观者。新设计观者满满的外观与熟食满满的配置，悦我GT Neo3可谓是一台新设计与稳定性兼备的机动部队笔记本磁脑。

概括

看完上面三款笔记本磁脑，你有什么想说是的，来卫报第一区一起探讨吧！

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